韩媒：三星将采用台积电3纳米工艺生产英伟达下一代内存芯片基底
据韩国《首尔经济日报》18日报道，三星电子将采用台积电的3纳米制程，为英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）芯片生产基底芯片。
如果属实，这将是三星首次在HBM领域与这家台湾芯片代工厂合作。
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如果属实，这将是三星首次在HBM领域与这家台湾芯片代工厂合作。
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