中国团队研发最快闪存器件有何影响？
复旦大学的科研团队取得了一项重大突破，成功开发出一种名为“破晓(PoX)”的皮秒级闪存器件。这款器件以其惊人的速度刷新了纪录，成为目前全球范围内最快的半导体电荷存储技术。
据复旦大学官方消息，该团队由周鹏和刘春森带领，其研发的闪存器件擦写速度仅为400皮秒，换算下来，每秒能够完成高达25亿次操作。这一成果已于4月16日（星期三）刊登在国际权威期刊《自然》(Nature)上，标志着中国在半导体存储领域的领先地位。
这项技术不仅速度空前，其存储与计算性能的对等也为未来的技术应用开辟了新可能。专家指出，一旦实现规模化集成，这种技术有望彻底改变现有的存储器结构。未来，个人电脑可能不再区分内存与外存，摆脱分层存储的限制，甚至支持AI大模型的本地化部署，为用户带来更高效的使用体验。
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