中国研发最快闪存器件:速度革新存储技术
中国科研领域传来振奋人心的消息,上海复旦大学的科研团队在集成电路技术上取得重大突破,研发出一种全新的闪存器件,被认为是目前全球范围内速度最快的半导体电荷存储设备。
据复旦大学官网4月17日的消息,该校集成晶片与系统全国重点实验室及晶片与系统前沿技术研究院的周鹏-刘春森团队,成功开发出名为“破晓(PoX)”的皮秒级闪存器件。其擦写速度达到惊人的400皮秒,换算下来,每秒可完成高达25亿次操作。这一速度不仅刷新了现有纪录,也被认为是半导体存储技术的里程碑。
研究指出,这项技术在速度上实现了存储与计算的平衡。未来,若能实现大规模集成,将有可能彻底改变当前的存储器架构。专家预测,此技术或将消除个人电脑中内存与外存的界限,取消分层存储模式,同时为人工智能大模型的本地化部署提供可能性。相关研究成果已于4月16日在国际顶级学术期刊《自然》(Nature)上正式发表。
此外,复旦大学还在4月3日公布了另一项突破性成果。同样来自集成晶片与系统全国重点实验室的周鹏、包文中团队,成功研发出二维半导体晶片“无极”,首次实现了5900个晶体管的集成度,攻克了二维半导体电子学工程化的关键难题。
据了解,集成晶片与系统全国重点实验室成立于2022年,其核心目标是解决中国在集成电路领域面临的诸多技术瓶颈,为国家科技自立自强提供有力支撑。这些成果标志着中国在相关领域迈出了坚实的一步。
评论