针对台积电近期宣布扩大美国投资引发的产业外流争议，台湾经济事务主管部门负责人郭智辉3月4日于立法院会议中作出明确回应。面对立委张启楷关于台积电研发据点布局的追问，郭智辉强调，台积电位于台湾的研发总部定位不变，并明确表示2025年将投产的2纳米与1.6纳米尖端芯片制造工艺不会转移至美国。
投资争议焦点
事情源于台积电董事长魏哲家3月3日在美国白宫与特朗普会面期间，正式公布将在亚利桑那州凤凰城区域新增总投资额达1000亿美元（约合1350亿新加坡元）的发展计划，包括新建五座半导体工厂。此消息与郭智辉先前公开表态争取台积电研发中心留台的论述形成明显对比，促使立法机构要求主管部门澄清具体应对方案。值得注意的是，台积电目前在美国的既有投资已涵盖凤凰城两座晶圆厂建设，并原定规划2030年启动第三厂区。新增投资后，其海外扩张蓝图引发外界对GAAFET晶体管架构技术外流的深度焦虑。郭智辉特别指出，未来3-5年内全球先进制程技术仍将聚焦台湾本土，同时政府部门将强化产业沟通机制。